GP1S196HCPSF

Sharp Microelectronics

Цена не указана Под заказ

Информация на сайте не является публичной офертой. Актуальные цены и сроки поставки уточняйте у менеджера, технические характеристики — в документации производителя.

Производитель: Sharp Microelectronics
Расстояние срабатывания: 1.1 mm
Метод зондирования: Transmissive, Slotted
Ширина слота: 1.1 mm
Ширина диафрагмы: 0.3 mm
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 35 V
Максимальный коллекторный ток: 20 mA
Стиль монтажа: SMD/SMT
Минимальная рабочая температура: - 25 C
Максимальная рабочая температура: + 85 C
Упаковка: MouseReel, 5000
Время спада: 50 us
Чувствительность к влаге: Yes
Количество каналов: 1 Channel
Тип выхода: Phototransistor
Потери мощности (PD): 100 mW
Время нарастания: 50 us
Длина волны: 950 nm
Вес: 109,190 mg

GP1S196HCPSF

Характеристики