Изображение отсутствует
SiC MOSFET-транзисторы
IMZC120R053M2HXKSA1
Infineon
Цена не указана
Под заказ
Информация на сайте не является публичной офертой. Актуальные цены и сроки поставки уточняйте у менеджера, технические характеристики — в документации производителя.
Параметры
Характеристики
- Производитель
- Infineon
- Стиль монтажа
- Through Hole
- Корпус
- TO-247-4
- Полярность транзистора
- N-Channel
- Количество каналов
- 1 Channel
- Напряжение пробоя сток-исток
- 1.2 kV
- Постоянный ток стока
- 38 A
- Сопротивление сток-исток
- 53 mOhms
- Напряжение затвор-исток
- - 10 V, + 25 V
- Пороговое напряжение затвор-исток
- 5.1 V
- Заряд затвора
- 30 nC
- Минимальная рабочая температура
- - 55 C
- Максимальная рабочая температура
- + 175 C
- Потери мощности (PD)
- 182 W
- Режим канала
- Enhancement
- Время спада
- 5.9 ns
- Прямое транскондукционное сопротивление, мин.
- 9 S
- Упаковка
- Tube, 240
- Время нарастания
- 5.5 ns
- Тип транзистора
- 1 N-Channel
- Типичное время выключения
- 10 ns
- Типичное время включения
- 4.5 ns