Изображение отсутствует
SiC MOSFET-транзисторы
AIMCQ120R060M1TXTMA1
Infineon
Цена не указана
Под заказ
Информация на сайте не является публичной офертой. Актуальные цены и сроки поставки уточняйте у менеджера, технические характеристики — в документации производителя.
Параметры
Характеристики
- Производитель
- Infineon
- Стиль монтажа
- SMD/SMT
- Корпус
- PG-HDSOP-22-3
- Полярность транзистора
- N-Channel
- Количество каналов
- 1 Channel
- Напряжение пробоя сток-исток
- 1.2 kV
- Постоянный ток стока
- 44 A
- Сопротивление сток-исток
- 75 mOhms
- Напряжение затвор-исток
- - 10 V, + 25 V
- Пороговое напряжение затвор-исток
- 5.1 V
- Заряд затвора
- 32 nC
- Минимальная рабочая температура
- - 55 C
- Максимальная рабочая температура
- + 175 C
- Потери мощности (PD)
- 259 W
- Режим канала
- Enhancement
- Время спада
- 9 ns
- Упаковка
- Cut Tape, 750
- Время нарастания
- 4.5 ns
- Тип транзистора
- 1 N-Channel
- Типичное время выключения
- 13.5 ns
- Типичное время включения
- 7.1 ns