Изображение отсутствует
SiC MOSFET-транзисторы
SCT025H120G3AG
STMicroelectronics
Цена не указана
Под заказ
Информация на сайте не является публичной офертой. Актуальные цены и сроки поставки уточняйте у менеджера, технические характеристики — в документации производителя.
Параметры
Характеристики
- Производитель
- STMicroelectronics
- Стиль монтажа
- SMD/SMT
- Корпус
- H2PAK-7
- Полярность транзистора
- N-Channel
- Количество каналов
- 1 Channel
- Напряжение пробоя сток-исток
- 1.2 kV
- Постоянный ток стока
- 55 A
- Сопротивление сток-исток
- 37 mOhms
- Напряжение затвор-исток
- - 10 V, + 22 V
- Пороговое напряжение затвор-исток
- 3 V
- Заряд затвора
- 73 nC
- Минимальная рабочая температура
- - 55 C
- Максимальная рабочая температура
- + 175 C
- Потери мощности (PD)
- 375 W
- Режим канала
- Enhancement
- Время спада
- 25 ns
- Упаковка
- Cut Tape, 1000
- Время нарастания
- 27 ns
- Типичное время выключения
- 48 ns
- Типичное время включения
- 23 ns