Изображение отсутствует
GaN-транзисторы
IGLD60R190D1AUMA1
Infineon
Цена не указана
Под заказ
Информация на сайте не является публичной офертой. Актуальные цены и сроки поставки уточняйте у менеджера, технические характеристики — в документации производителя.
Параметры
Характеристики
- Производитель
- Infineon
- Стиль монтажа
- SMD/SMT
- Корпус
- LSON-8
- Полярность транзистора
- N-Channel
- Количество каналов
- 1 Channel
- Напряжение пробоя сток-исток
- 600 V
- Постоянный ток стока
- 10 A
- Сопротивление сток-исток
- 190 mOhms
- Напряжение затвор-исток
- - 10 V, + 10 V
- Пороговое напряжение затвор-исток
- 900 mV
- Заряд затвора
- 3.2 nC
- Минимальная рабочая температура
- - 55 C
- Максимальная рабочая температура
- + 150 C
- Потери мощности (PD)
- 62.5 W
- Режим канала
- Enhancement
- Время спада
- 14 ns
- Прямое транскондукционное сопротивление, мин.
- -
- Максимальная рабочая частота
- -
- Рабочая частота, min
- -
- Чувствительность к влаге
- Yes
- Упаковка
- Cut Tape, 3000
- Время нарастания
- 6 ns
- Типичное время выключения
- 8 ns
- Типичное время включения
- 6 ns
- Вес
- 276,480 mg