Изображение отсутствует
RF MOSFET-транзисторы
PD57018-E
STMicroelectronics
Цена не указана
Под заказ
Информация на сайте не является публичной офертой. Актуальные цены и сроки поставки уточняйте у менеджера, технические характеристики — в документации производителя.
Параметры
Характеристики
- Производитель
- STMicroelectronics
- Полярность транзистора
- N-Channel
- Постоянный ток стока
- 2.5 A
- Напряжение пробоя сток-исток
- 65 V
- Сопротивление сток-исток
- 760 mOhms
- Рабочая частота
- 1 GHz
- Усиление
- 16.5 dB
- Выходная мощность
- 18 W
- Минимальная рабочая температура
- - 65 C
- Максимальная рабочая температура
- + 150 C
- Стиль монтажа
- SMD/SMT
- Корпус
- PowerSO-10RF-Formed-4
- Упаковка
- Tube, 400
- Режим канала
- Enhancement
- Прямое транскондукционное сопротивление, мин.
- 1 S
- Высота
- 3.5 mm
- Длина
- 7.5 mm
- Чувствительность к влаге
- Yes
- Потери мощности (PD)
- 31.7 W
- Тип транзистора
- LDMOS FET
- Напряжение затвор-исток
- + 20 V
- Вес
- 3 g