Изображение отсутствует
RF MOSFET-транзисторы
MRF101BN
NXP
Цена не указана
Под заказ
Информация на сайте не является публичной офертой. Актуальные цены и сроки поставки уточняйте у менеджера, технические характеристики — в документации производителя.
Параметры
Характеристики
- Производитель
- NXP
- Полярность транзистора
- N-Channel
- Постоянный ток стока
- 8.8 A
- Напряжение пробоя сток-исток
- 133 V
- Рабочая частота
- 1.8 MHz to 250 MHz
- Усиление
- 21.1 dB
- Выходная мощность
- 115 W
- Минимальная рабочая температура
- - 40 C
- Максимальная рабочая температура
- + 150 C
- Стиль монтажа
- Through Hole
- Корпус
- TO-220-3
- Упаковка
- Tube, 50
- Прямое транскондукционное сопротивление, мин.
- 7.1 S
- Количество каналов
- 1 Channel
- Потери мощности (PD)
- 182 W
- Тип транзистора
- LDMOS FET
- Напряжение затвор-исток
- + 10 V
- Пороговое напряжение затвор-исток
- 2.7 V
- Вес
- 60 mg