Изображение отсутствует
SiC MOSFET-транзисторы
IPDQ60R007CM8XTMA1
Infineon
Цена не указана
Под заказ
Информация на сайте не является публичной офертой. Актуальные цены и сроки поставки уточняйте у менеджера, технические характеристики — в документации производителя.
Параметры
Характеристики
- Производитель
- Infineon
- Стиль монтажа
- SMD/SMT
- Корпус
- HDSOP-22
- Полярность транзистора
- N-Channel
- Количество каналов
- 1 Channel
- Напряжение пробоя сток-исток
- 600 V
- Постоянный ток стока
- 288 A
- Сопротивление сток-исток
- 7 mOhms
- Напряжение затвор-исток
- - 20 V, + 20 V
- Пороговое напряжение затвор-исток
- 4.7 V
- Заряд затвора
- 370 nC
- Минимальная рабочая температура
- - 55 C
- Максимальная рабочая температура
- + 150 C
- Потери мощности (PD)
- 1.249 kW
- Режим канала
- Enhancement
- Время спада
- 8.4 ns
- Упаковка
- Cut Tape, 750
- Время нарастания
- 16.5 ns
- Типичное время выключения
- 215.2 ns
- Типичное время включения
- 49.5 ns