Изображение отсутствует
SiC MOSFET-транзисторы
IPT60R037CM8XTMA1
Infineon
Цена не указана
Под заказ
Информация на сайте не является публичной офертой. Актуальные цены и сроки поставки уточняйте у менеджера, технические характеристики — в документации производителя.
Параметры
Характеристики
- Производитель
- Infineon
- Стиль монтажа
- SMD/SMT
- Корпус
- HSOF-8
- Полярность транзистора
- N-Channel
- Количество каналов
- 1 Channel
- Напряжение пробоя сток-исток
- 600 V
- Постоянный ток стока
- 70 A
- Сопротивление сток-исток
- 37 mOhms
- Напряжение затвор-исток
- - 20 V, + 20 V
- Пороговое напряжение затвор-исток
- 4.7 V
- Заряд затвора
- 79 nC
- Минимальная рабочая температура
- - 55 C
- Максимальная рабочая температура
- + 150 C
- Потери мощности (PD)
- 390 W
- Режим канала
- Enhancement
- Время спада
- 5.8 ns
- Упаковка
- Cut Tape, 2000
- Время нарастания
- 7.6 ns
- Тип транзистора
- 1 N-Channel
- Типичное время выключения
- 101.6 ns
- Типичное время включения
- 20.6 ns