Изображение отсутствует
SiC MOSFET-транзисторы
IMBG40R025M2HXTMA1
Infineon
Цена не указана
Под заказ
Информация на сайте не является публичной офертой. Актуальные цены и сроки поставки уточняйте у менеджера, технические характеристики — в документации производителя.
Параметры
Характеристики
- Производитель
- Infineon
- Стиль монтажа
- SMD/SMT
- Корпус
- TO-263-7
- Полярность транзистора
- N-Channel
- Количество каналов
- 1 Channel
- Напряжение пробоя сток-исток
- 400 V
- Постоянный ток стока
- 68 A
- Сопротивление сток-исток
- 36.5 mOhms
- Напряжение затвор-исток
- - 10 V, + 25 V
- Пороговое напряжение затвор-исток
- 4.5 V
- Заряд затвора
- 36 nC
- Минимальная рабочая температура
- - 55 C
- Максимальная рабочая температура
- + 175 C
- Потери мощности (PD)
- 214 W
- Режим канала
- Enhancement
- Время спада
- 7.9 ns
- Упаковка
- Cut Tape, 1000
- Время нарастания
- 11.9 ns
- Типичное время выключения
- 19.9 ns
- Типичное время включения
- 12.5 ns