Изображение отсутствует
SiC MOSFET-транзисторы
UF4C120070B7S
Qorvo
Цена не указана
Под заказ
Информация на сайте не является публичной офертой. Актуальные цены и сроки поставки уточняйте у менеджера, технические характеристики — в документации производителя.
Параметры
Характеристики
- Производитель
- Qorvo
- Стиль монтажа
- SMD/SMT
- Корпус
- D2PAK-7
- Полярность транзистора
- N-Channel
- Количество каналов
- 1 Channel
- Напряжение пробоя сток-исток
- 1.2 kV
- Постоянный ток стока
- 25.7 A
- Сопротивление сток-исток
- 72 mOhms
- Напряжение затвор-исток
- - 20 V, + 20 V
- Пороговое напряжение затвор-исток
- 6 V
- Минимальная рабочая температура
- - 55 C
- Максимальная рабочая температура
- + 175 C
- Потери мощности (PD)
- 183 W
- Режим канала
- Enhancement
- Время спада
- 12 ns
- Время нарастания
- 32 ns
- Упаковка
- 800
- Типичное время выключения
- 57 ns
- Типичное время включения
- 20 ns