Изображение отсутствует
SiC MOSFET-транзисторы
IMBG120R017M2HXTMA1
Infineon
Цена не указана
Под заказ
Информация на сайте не является публичной офертой. Актуальные цены и сроки поставки уточняйте у менеджера, технические характеристики — в документации производителя.
Параметры
Характеристики
- Производитель
- Infineon
- Стиль монтажа
- SMD/SMT
- Корпус
- TO-263-7
- Полярность транзистора
- N-Channel
- Количество каналов
- 1 Channel
- Напряжение пробоя сток-исток
- 1.2 kV
- Постоянный ток стока
- 107 A
- Сопротивление сток-исток
- 17.1 mOhms
- Напряжение затвор-исток
- - 7 V, + 20 V
- Пороговое напряжение затвор-исток
- 5.1 V
- Заряд затвора
- 89 nC
- Минимальная рабочая температура
- - 55 C
- Максимальная рабочая температура
- + 175 C
- Потери мощности (PD)
- 470 W
- Режим канала
- Enhancement
- Время спада
- 9.4 ns
- Прямое транскондукционное сопротивление, мин.
- 18.6 s
- Упаковка
- Cut Tape, 1000
- Время нарастания
- 18.2 ns
- Типичное время выключения
- 14.2 ns
- Типичное время включения
- 7 ns