Изображение отсутствует
RF MOSFET-транзисторы
MRFX1K80GNR5
NXP
Цена не указана
Под заказ
Информация на сайте не является публичной офертой. Актуальные цены и сроки поставки уточняйте у менеджера, технические характеристики — в документации производителя.
Параметры
Характеристики
- Производитель
- NXP
- Полярность транзистора
- N-Channel
- Постоянный ток стока
- 43 A
- Напряжение пробоя сток-исток
- 179 V
- Сопротивление сток-исток
- -
- Рабочая частота
- 1.8 MHz to 400 MHz
- Усиление
- 24.4 dB
- Выходная мощность
- 1.8 kW
- Минимальная рабочая температура
- - 40 C
- Максимальная рабочая температура
- + 150 C
- Стиль монтажа
- SMD/SMT
- Корпус
- OM-1230G-4
- Упаковка
- Cut Tape, 50
- Прямое транскондукционное сопротивление, мин.
- 44.7 S
- Чувствительность к влаге
- Yes
- Количество каналов
- 2 Channel
- Потери мощности (PD)
- 3.333 kW
- Тип транзистора
- LDMOS FET
- Напряжение затвор-исток
- + 10 V
- Пороговое напряжение затвор-исток
- 2.9 V
- Вес
- 5,281 g