Изображение отсутствует
RF MOSFET-транзисторы
A2T27S020NR1
NXP
Цена не указана
Под заказ
Информация на сайте не является публичной офертой. Актуальные цены и сроки поставки уточняйте у менеджера, технические характеристики — в документации производителя.
Параметры
Характеристики
- Производитель
- NXP
- Полярность транзистора
- N-Channel
- Напряжение пробоя сток-исток
- 65 V
- Сопротивление сток-исток
- -
- Рабочая частота
- 400 MHz to 2.7 GHz
- Усиление
- 21.1 dB
- Выходная мощность
- 2.5 W
- Минимальная рабочая температура
- - 40 C
- Максимальная рабочая температура
- + 150 C
- Стиль монтажа
- Screw Mount
- Корпус
- TO-270-2
- Упаковка
- Cut Tape, 500
- Чувствительность к влаге
- Yes
- Количество каналов
- 1 Channel
- Тип транзистора
- LDMOS FET
- Напряжение затвор-исток
- + 10 V
- Пороговое напряжение затвор-исток
- 1.6 V
- Вес
- 532,200 mg