Изображение отсутствует
SiC MOSFET-транзисторы
IMW65R026M2HXKSA1
Infineon
Цена не указана
Под заказ
Информация на сайте не является публичной офертой. Актуальные цены и сроки поставки уточняйте у менеджера, технические характеристики — в документации производителя.
Параметры
Характеристики
- Производитель
- Infineon
- Стиль монтажа
- Through Hole
- Корпус
- TO-247-3
- Полярность транзистора
- N-Channel
- Количество каналов
- 1 Channel
- Напряжение пробоя сток-исток
- 650 V
- Постоянный ток стока
- 64 A
- Сопротивление сток-исток
- 33 mOhms
- Напряжение затвор-исток
- - 10 V, + 25 V
- Пороговое напряжение затвор-исток
- 5.6 V
- Заряд затвора
- 42 nC
- Минимальная рабочая температура
- - 55 C
- Максимальная рабочая температура
- + 175 C
- Потери мощности (PD)
- 227 W
- Режим канала
- Enhancement
- Время спада
- 6.3 ns
- Упаковка
- Tube, 240
- Время нарастания
- 13.3 ns
- Тип транзистора
- 1 N-Channel
- Типичное время выключения
- 19 ns
- Типичное время включения
- 27 ns